[发明专利]半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构有效
| 申请号： | 201010119752.1 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102148172A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 郑斌宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构。该半导体工艺包括以下步骤：(a)提供一半导体组件，包括一硅基材及至少一导电孔结构；(b)移除部分该硅基材，以形成一第一表面，该导电孔结构突出于该硅基材的第一表面，而形成一穿导孔结构；(c)形成一保护层，以覆盖该穿导孔结构，该保护层为感光材料；(d)提供一光罩，以遮住部分该保护层；(e)提供一光源，以照射未被遮住的部分该保护层；及(f)移除部分该保护层，使得该穿导孔结构显露于该保护层的第一表面。藉此，可完全移除位于该穿导孔结构上的部分该保护层，以确保该穿导孔结构对外电性连接的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 组件 具有 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺，包括：(a)提供一半导体组件，该半导体组件包括一硅基材及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该硅基材内；(b)移除部分该硅基材，以形成一第一表面，使得该导电孔结构突出于该硅基材的第一表面，而形成一穿导孔结构；(c)形成一保护层于该硅基材的第一表面，以覆盖该穿导孔结构，该保护层为感光材料，且具有一上表面；(d)提供一光罩于该保护层的上方，以遮住部分该保护层；(e)提供一光源，以照射未被遮住的部分该保护层；及(f)移除部分该保护层，使得该穿导孔结构显露于该保护层的第一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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