[发明专利]一种底栅型FED下板图形的制作方法

摘要

本发明涉及场发射显示器一种底栅型FED下板图形的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)制备感光银浆；2)在清洁处理后的阴极玻璃基板(4)上用光刻法制作栅极层(5)图形；3)在栅极层(5)上印刷制作绝缘材料图形，并烧结得到阴极电阻层(6)；4)通过光刻法采用感光银浆制作一层阴极层(7)图形；5)填充一层正性光刻胶或负性光刻胶(p)；干燥后紫外灯下曝光，显影；即得阴极线条间隙填充图形p；6)利用电泳、印刷、光刻方法制作阴极发射体(8)；7)去除光刻胶(p)：即得完整的底栅型FED下基板结构。该方法得到的基板结构使得栅极表面同阴极表面得到彻底绝缘；解决了栅极和阴极表面短路的问题。

主权项

一种底栅型FED下板图形的制作方法，其特征在于，该方法通过以下步骤来实现：1)制备感光银浆；2)在清洁处理后的阴极玻璃基板(4)上，通过光刻法采用步骤1)中感光银浆制作栅极层(5)的图形；3)在制作好的栅极层(5)上，印刷制作一层或多层绝缘层图形，并在530～590℃，烧结20～30min，得到阴极电阻层(6)；4)在上述阴极电阻层(6)上通过光刻法采用感光银浆制作一层阴极层(7)的图形；5)在步骤4)的基板上填充一层光刻胶(p)，采用正性光刻胶或者负性光刻胶填充：采用负性光刻胶填充阴极间隙时，用印刷法直接使用相应图形的漏印版印刷至基板上后，于90～130℃干燥10～30min；采用正性光刻胶填充阴极间隙时，先用印刷法印刷以将阴极层(7)图形的基板整面印刷一层正性光刻胶，干燥后采用75～100℃干燥8～30min，采用相应掩膜图形紫外灯下曝光，曝光量为50～500mJ/cm2；用尺度当量浓度为0.26的四甲基氢氧化铵TMAH溶液在15～25℃，显影10～50S；即可得到阴极线条间隙填充图形p；6)制作阴极发射体(8)，即碳纳米管，采用电泳、印刷、光刻方法制作阴极发射体(8)；7)去除光刻胶(p)：填充物为正性光刻胶，采用紫外曝光法，无掩膜遮挡曝光后显影液除去，曝光量和显影液同步骤5)；填充物为负性光刻胶，直接用0.2～1％的Na2CO3显影液显影10～200s除去；即可得到完整的底栅型FED下基板结构。