[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201010121557.2 | 申请日： | 2010-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101807635A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;F21S8/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构之下沿着所述发光结构的外周部分形成的多个隔离层；在所述隔离层之间设置的金属层；以及在所述发光结构之下形成的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构之下沿所述发光结构外周部分形成的多个隔离层；插入所述隔离层之间的金属层；和在所述发光结构之下形成的第二电极层。
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