[发明专利]一种高密度低寄生的电容装置

摘要

本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容；多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容；同一层金属之间的第二电容，其中该同一层金属由金属方块阵列构成，且每一个金属方块与其相邻的金属方块分别连接到电容装置的A端口和B端口；通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，具有上极板和下极板，上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现多晶硅栅与金属层之间的电容、同层金属之间的电容、通孔与通孔之间的电容、MIM电容等，最大限度的实现了单位面积上的电容。

主权项

一种高密度低寄生的电容装置，具有A端口和B端口，其特征在于，该电容装置还包括：一个由多晶硅栅(10)、栅氧及连接到一起的源(17)、漏(18)和N阱(19)构成的PMOS电容(16)，其中源(17)、漏(18)和N阱(19)连接到电容装置的A端口，多晶硅栅(10)连接到电容装置的B端口；多晶硅栅(10)与第一层金属(11)之间的第一电容，其中第一层金属(11)连接到电容装置的A端口；同一层金属(12)之间的第二电容，其中该同一层金属(12)由金属方块阵列构成，每一个金属方块与其相邻的金属方块分别通过通孔连接到电容装置的A端口和B端口；通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，其中MIM电容具有上极板(15)和下极板(14)，上极板(15)和下极板(14)分别连接到电容装置的A端口和B端口。