[发明专利]封装工艺有效
申请号: | 201010123574.X | 申请日: | 2010-03-02 |
公开(公告)号: | CN102194706A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 王盟仁 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种封装工艺,包括:将一半导体基材配置于一载具上,其中半导体基材面向载具的一侧具有多个接点;由半导体基材的背侧来薄化半导体基材;形成多个直通硅穿孔于薄化后的该半导体基材中;形成多个第一接垫于半导体基材上,所述第一接垫分别连接直通硅穿孔;接合多个芯片至半导体基材,其中所述芯片分别电性连接至所对应的第一接垫;形成封装胶体于半导体基材上,以覆盖芯片以及第一接垫;分离半导体基材与载具,然后形成多个焊球于半导体基材上;之后,裁切封装胶体以及半导体基材。 | ||
搜索关键词: | 封装 工艺 | ||
【主权项】:
一种封装工艺,包括:将一半导体基材配置于一载具上,其中该半导体基材具有面向该载具的一第一表面以及位于该第一表面上的多个接点;由该半导体基材相对于该第一表面的背侧来薄化该半导体基材,薄化后的该半导体基材具有相对于该第一表面的一第二表面;形成多个直通硅穿孔于该半导体基材中,该些直通硅穿孔分别对应并连接该些接点;形成多个第一接垫于该半导体基材的该第二表面上,该些第一接垫分别对应并连接该些直通硅穿孔;接合多个芯片至该半导体基材的该第二表面,该些芯片分别电性连接至所对应的该些第一接垫;形成一封装胶体于该半导体基材的该第二表面上,该封装胶体覆盖该些芯片以及该些第一接垫;分离该半导体基材与该载具,之后,形成多个焊球于该半导体基材的该第一表面上,该些焊球分别电性连接至所对应的该些接点;以及同时裁切该封装胶体以及该半导体基材,以形成多个封装单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010123574.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造