[发明专利]一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法有效
| 申请号： | 201010124565.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194752A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴永玉;神兆旭;何学缅;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/105;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法，包括：a：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，在衬底上形成栅介电层和位于栅介电层之上的栅极材料层；b：对相应于第二区域上的栅极材料层进行n型离子预掺杂；c：对相应于第一区域上的栅极材料层进行p型离子预掺杂；d：形成互补金属氧化物半导体器件结构的后续结构；其中，在步骤a与步骤b之间对栅极材料层进行p型离子少剂量注入工艺或在步骤b与步骤c之间对栅极材料层进行p型离子少剂量注入工艺。根据本发明可以有效解决由于预掺杂引起的各种问题，提高半导体器件整体性能，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化物 半导体器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法，包括：a：提供衬底(201)，所述衬底(201)包括第一区域(204A)和第二区域(204B)，在所述衬底(201)上形成栅介电层(205)和位于所述栅介电层(205)之上的栅极材料层(206)；b：对相应于所述第二区域(204B)上的栅极材料层(206)进行n型离子预掺杂；c：对相应于所述第一区域(204A)上的栅极材料层(206)进行p型离子预掺杂；d：形成互补金属氧化物半导体器件结构的后续结构；其中，在步骤a与步骤b之间对所述栅极材料层(206)进行p型离子少剂量注入工艺或在步骤b与步骤c之间对所述栅极材料层(206)进行p型离子少剂量注入工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010124565.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
