[发明专利]制作半导体器件间隙壁的方法有效
| 申请号： | 201010124693.7 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194677A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作半导体器件间隙壁的方法，包括：提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1-1。根据本发明的方法能够有效解决密集区和非密集区间隙壁厚度不均匀的问题，改善了器件的电学性能，使器件在不同环境下运行速度均匀，从而提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 间隙 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件间隙壁的方法，所述方法依次包括下列步骤：提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1‑1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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