[发明专利]一种铟掺杂氧化锌靶材及透明导电膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010127581.7 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102191465A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;黄常刚;邓种华;王美丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铟掺杂氧化锌溅射靶材及其透明导电膜的制备方法。该法采用液相法或固相法制备铟掺杂氧化锌粉体，经冷等静压成型、真空烧结和气氛退火得到高纯铟掺杂氧化锌陶瓷靶材，并使用该靶材经溅射法制备透明导电膜。其中氧化铟的质量含量为0.5-10％；靶材的纯度不低于99.9％；靶材的相对密度不低于95％，最高可达99.5％。采用该靶材经溅射法制备的透明导电膜具有优良的光电性能，电阻率可低至7×10-4Ωcm，在可见光范围(400～800nm)最高透过率可达92％，而平均透过率不低于84％，可广泛应用于太阳能电池、发光二极管、平板和液晶显示等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锌 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟掺杂氧化锌靶材，其特征在于：该靶材由锌、铟氧化物粉体经烧结而成；其中氧化铟的质量含量为0.5‑10％；靶材的纯度不低于99.9％；靶材的相对密度不低于95％，最高可达99.5％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010127581.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板及其显示驱动方法
- 下一篇：一种物联网物品监护系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
