[发明专利]像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法

摘要

本发明公开一种像素结构，包括一基板、一栅极、一绝缘层、一金属氧化物半导体层、一源极以及一漏极、至少一膜层以及一第一电极层。栅极位于基板上。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。源极以及漏极位于金属氧化物半导体层上。至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层，其中至少一膜层包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。第一电极层与源极或漏极电性连接。本发明同时公开一种像素结构的制造方法以及电子装置的制造方法。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；一栅极，位于该基板上；一绝缘层，覆盖该栅极；一金属氧化物半导体层，位于该栅极上方的该绝缘层上；一源极以及一漏极，位于该金属氧化物半导体层上；至少一膜层，覆盖该金属氧化物半导体层，其中该至少一膜层包括一透明光触媒材料，且该透明光触媒材料阻挡一紫外光波段光线穿透至该金属氧化物半导体层；以及一第一电极层，其与该源极或该漏极电性连接。