[发明专利]闪存控制方法及装置有效
| 申请号： | 201010130682.X | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101799793A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;成晓华 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了闪存存储技术领域的一种闪存控制方法及装置。所述闪存控制方法，包括步骤：设定元操作，并建立元操作库；根据需要执行的命令序列，从元操作库中提取相应的元操作并组合为队列；执行组合后的队列，实现需要执行的命令序列的功能。所述闪存控制装置，可使得闪存控制器不需要理会各种操作的命令序列，只需要执行命令序列对应的元操作，可提升闪存控制器的兼容性；且可在元操作处理中引入流水线(Pipeline)技术，以提升处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种闪存控制方法，其特征在于，包括步骤：设定元操作，并建立元操作库；根据需要执行的命令序列，从元操作库中提取相应的元操作并组合为队列；执行组合后的队列，实现需要执行的命令序列的功能。
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