[发明专利]基于访问时间调整对非易失性半导体存储器的访问有效
| 申请号： | 201010134420.0 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101908379A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | M-M·L·西马 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性的半导体存储器，该存储器包括第一存储装置和可操作用于向第一存储装置发出访问命令的控制电路。在状态延迟之后向第一存储装置请求命令状态。当命令状态指示第一存储器已经完成命令时，测量对该存储装置的第一访问时间。之后，响应该访问时间修改第一存储装置的访问序列。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 访问 时间 调整 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器，包括第一存储装置和控制电路，所述控制电路可操作用于：向所述第一存储装置发出访问命令；在状态延迟后向所述第一存储装置请求命令状态；当所述命令状态指示所述第一存储装置已经完成所述命令时，测量所述存储装置的第一访问时间；以及响应所述访问时间修改所述第一存储装置的访问序列。
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