[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201010135849.1 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN101840913A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 内田慎一;富留宫正之;榊原宽;岩垂史;佐藤启之;江口真;泷雅人;森下英俊;加藤孝三;森本淳 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司;丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器,并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路,而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路,而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:第一半导体芯片;第二半导体芯片;以及用于连接所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第一和第二接合线,其中,所述第一半导体芯片包括:形成在第一衬底上方的第一传送电路和第一接收电路;形成在所述第一衬底上方的第一多层互连层;设置在所述第一多层互连层中的第一电感器;以及设置在所述第一多层互连层中并布置在所述第一电感器之上的第二电感器,所述第二半导体芯片包括:形成在第二衬底上方的第二传送电路和第二接收电路;形成在所述第二衬底上方的第二多层互连层;设置在所述第二多层互连层中的第三电感器;以及设置在所述第二多层互连层中并布置在所述第三电感器之上的第四电感器,所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路和所述第二传送电路中的一个传送电路,所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路和所述第二传送电路中的另一个传送电路,在所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路的情况下,所述第一电感器和所述第二电感器中的另一个电感器连接至所述第二接收电路,在所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第二传送电路的情况下,所述另一个电感器连接至所述第一接收电路,在所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路的情况下,所述第三电感器和所述第四电感器中的另一个电感器连接至所述第二接收电路,以及在所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第二传送电路的情况下,所述另一个电感器连接至所述第一接收电路。
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