[发明专利]低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构及其制造方法

摘要

一种低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构及其制造方法；此低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构包括一硅基材、一栅极沟槽、一栅极氧化层与一栅极多晶硅结构；其中，栅极沟槽位于硅基材内，并且延伸至硅基材的一上表面；栅极氧化层位于栅极沟槽的内侧表面；栅极多晶硅结构位于栅极沟槽内，并且具有一突出部，向上伸出硅基材的上表面；此突出部的侧面并具有一凹陷，使邻接于栅极沟槽处的硅基材的上表面裸露于外。本发明提出的低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构可避免传统栅极多晶硅结构突出硅基材所产生的遮蔽效果。

主权项

一种低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一硅基材；形成一图案层于该硅基材的一上表面，该图案层具有一开口以定义一栅极沟槽；通过该图案层蚀刻该硅基材以形成该栅极沟槽；形成一栅极介电层至少覆盖该栅极沟槽的内侧表面；形成一第一多晶硅结构于该栅极沟槽内；沿着该开口的侧壁形成一间隔层结构；形成一第二多晶硅结构于该间隔层结构所定义出的空间内；以及去除该间隔层结构与该图案层。