[发明专利]单管单电容型铁电存储器

摘要

本发明设计了一种基于读出自参考反相器无需参考单元的单管单电容型(1T1C)铁电存储器(FeRAM)存储阵列，属于集成电路设计制造技术领域。该发明去掉了传统1T1C结构FeRAM中的铁电参考单元，利用自参考反向电路完成读操作。基于该方法设计的FeRAM具有良好抗疲劳特性。此外，由于不需要铁电参考单元产生参考信号，和参考信号产生相关的时序控制电路可以省去，其结果是减少了设计的难度和复杂度，降低了功耗。

主权项

1.一种基于读出自参考反相器的单管单电容型铁电存储器，其特征在于，所述的铁电存储器由铁电存储阵列和读出电路两部分组成；其中，铁电存储阵列的每列单管单电容型存储单元共用一条位线BLi，其中，i＝0...m，每行单管单电容型存储单元共用一条字线WLj及一条板线PLj，其中j＝0...n；所述读出电路由读出自参考反相器和灵敏放大电路组成，其中，所述铁电存储阵列的每列接一个读出自参考反相器，灵敏放大器接在所述读出自参考反相器的两端；所述读出自参考反相器由第一NMOS管M0、第二NMOS管M2、第一PMOS管M1和第二PMOS管M3组成，第一NMOS管M0的栅极连至每列共用位线BLi上，其中i＝0...m，其源极与第二NMOS管M2的漏极相接，其漏极与第一PMOS管M1的漏极相接作为所述读出自参考反相器的输出；第一PMOS管M1的栅极也连至所述该列共用位线BLi上，其源极与第二PMOS管M3的漏极相接；第二NMOS管M2和第二PMOS管M3的栅极分别连至使能信号Read_en及第二NMOS管M2的源极接地，第二PMOS管M3的源极接至电源vdd_inv。