[发明专利]具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010141479.2 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102110476A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金贵东;权奇昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置。该半导体存储装置包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在第一区块或第二区块被使能并且使能的区块中包括缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 修复 缺陷 单位 单元 冗余 电路 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在所述第一区块或所述第二区块被使能并且在使能的区块中存在缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。
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