[发明专利]一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法无效
| 申请号： | 201010142125.X | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102214687A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种栅堆叠结构，包括，隔离介质层，所述隔离介质层形成于所述栅极上且嵌入其中，所述侧墙覆盖所述隔离介质层中相对的侧面，位于所述活性区上的所述隔离介质层的厚度大于位于所述连接区上的所述隔离介质层的厚度。一种栅堆叠结构的制造方法，包括，去除部分厚度的所述栅极，被去除的位于所述活性区上的厚度大于位于所述连接区上的厚度，以暴露所述侧墙中相对的内壁；在所述栅极上形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖暴露的所述内壁。还提供了一种半导体器件及其制造方法。均可减少栅极与第二接触孔之间发生短路的可能性，且可以与两次接触孔形成工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 结构 半导体器件 二者 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅堆叠结构，包括，栅介质层，形成于基底内的活性区和连接区上；栅极，形成于所述栅介质层上；以及，侧墙，环绕所述栅介质层和所述栅极；其特征在于，还包括：隔离介质层，形成于所述栅极上且嵌入其中，所述侧墙覆盖所述隔离介质层中相对的侧面，位于所述活性区上的所述隔离介质层的厚度大于位于所述连接区上的所述隔离介质层的厚度。
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