[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，此制造方法包括如下步骤：提供一半导体基材，该半导体基材包括：导电层；介电衬层；保护层；以及光致抗蚀剂层，且该保护层具有第一开口暴露该保护层的一部分；利用光致抗蚀剂层作为掩模，蚀刻该保护层的暴露部分，以于该保护层中形成第二开口，且暴露介电衬层的一部分；剥除图案化光致抗蚀剂层与移除介电衬层，借由于相同反应腔体内，与温度小于约120℃的条件下，进行一含氧等离子体干式蚀刻工艺与一含氟等离子体干式蚀刻工艺。本发明，其可以节省至少三次工艺的循环，此工艺较为简单且可降低工艺成本，可改善介面漏电流与隔离的特性。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基材，其中该半导体基材包括：一导电层；一介电衬层形成于该导电层之上；一保护层形成于该介电衬层之上；以及一光致抗蚀剂层形成于该保护层之上，且该保护层具有一第一开口暴露该保护层的一部分；利用该光致抗蚀剂层作为掩模，蚀刻该保护层的暴露部分，以于该保护层中形成一第二开口，且暴露该介电衬层的一部分；以及于温度小于约120℃的条件下进行一等离子体干式蚀刻工艺，以于相同的反应腔体内移除该光致抗蚀剂层与该介电衬层的暴露部分，并暴露该导电层的一部分。