[发明专利]沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201010144202.5 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214567A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李凡;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有沟槽的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含氟的刻蚀气体对所述掩膜层进行刻蚀，直至暴露出半导体衬底；利用掩膜图案和刻蚀后的掩膜层做掩膜，采用体积比为13＜HBr∶O2＜25的刻蚀气体，54℃＜刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度＜60℃的刻蚀条件对所述半导体衬底进行刻蚀，直至形成深宽比大于10的沟槽。本发明形成的深宽比大于10的阵列排列的条形沟槽侧壁不会出现条纹状损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有沟槽的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含氟的刻蚀气体对所述掩膜层进行刻蚀，直至暴露出半导体衬底；利用掩膜图案和刻蚀后的掩膜层做掩膜，采用体积比为13＜HBr:O2＜25的刻蚀气体，54℃＜刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度＜60℃的刻蚀条件对所述半导体衬底进行刻蚀，直至形成深宽比大于10的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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