[发明专利]一种高纯铝硅碳块体的合成方法有效
| 申请号： | 201010144342.2 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102211936A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵建立;汪长安;黄勇;白春丽;白周义 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/622;C04B35/653 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝硅碳块体的制备方法。该方法包括下述步骤：按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45%-60％、SiO2原料10％-20％、碳原料30%-40％和SiC原料1%-4％，将所述原料按照从下到上的顺序组装为一层原料组：Al2O3原料-碳原料-SiC原料-SiO2原料，再将所述原料组层层叠加置于电弧炉的炉膛中；然后于空气氛中，在电弧炉内进行熔炼，将熔炼得到的产物冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳片块体；所述熔炼的温度为3000-3500℃，所述熔炼的时间为5-8小时。本发明的方法简便易行、成产成本低，所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 铝硅碳 块体 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种铝硅碳块体的制备方法，包括下述步骤：1)按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45‑60％、SiO2原料10％‑20％、碳原料30‑40％和SiC原料1‑4％，将所述原料按照从下到上的顺序组装为一层原料组：Al2O3原料‑碳原料SiC原料‑SiO2原料，再将所述原料组层层叠加置于电弧炉的炉膛中；2)然后于空气氛中，在电弧炉内进行熔炼，将熔炼得到的产物冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳块体；所述熔炼的温度为3000‑3500℃，所述熔炼的时间为5‑8小时。
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