[发明专利]一种多层单元闪存读写方法、装置及存储设备无效
| 申请号： | 201010144789.X | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102214481A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李志雄;邓恩华 | 申请（专利权）人： | 深圳市江波龙电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/00 | 分类号： | G11C8/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科发路8*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于闪存技术领域，提供了一种多层单元闪存读写方法、装置及存储设备，所述方法包括下述步骤：计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。在本发明实施例中，通过计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入最低有效位页对应的存储地址，提高了多层单元闪存的稳定性，由于只对多层单元闪存中稳定可靠的最低有效位页读写，相应的可以提高多层单元闪存存储设备的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 单元 闪存 读写 方法 装置 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种多层单元闪存读写方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。
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