[发明专利]电容元件及其制造方法、固态成像器件以及成像装置有效
| 申请号： | 201010145132.5 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101853851A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 蛯子芳树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/94;H01L21/77;H01L21/02;H01L27/146;H04N5/335;H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容元件及其制造方法、固态成像器件和成像装置。该电容元件包括：有源区域，由形成在半导体基板中的元件隔离区域分开；第一电极，由扩散层形成在有源区域中；绝缘层，形成在第一电极上；以及第二电极，通过绝缘层形成在第一电极的平坦表面上，其中在平面布局中，第二电极形成在有源区域及第一电极的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 元件 及其 制造 方法 固态 成像 器件 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种电容元件，包括：有源区域，由形成在半导体基板中的元件隔离区域分开；在所述有源区域中由扩散层形成的第一电极；绝缘层，形成在所述第一电极上；以及第二电极，经由所述绝缘层形成在所述第一电极的平坦表面上，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
