[发明专利]照明装置的制造装置及制造方法有效
申请号: | 201010145558.0 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN101841006A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;徐予红 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供可以处理能力高地制造利用EL发光的照明装置的制造装置。本发明提供一种照明装置的制造装置,其中包括:真空室;用于使真空室处于减压或高真空状态的排气系统;以及将衬底向真空室传送的传送室。在该制造装置中,真空室包括:在从传送室传送的衬底上形成第一电极的成膜室;在第一电极上形成至少具有发光层的第一发光单元的成膜室;在第一发光单元上形成中间层的成膜室;在中间层上形成至少具有发光层的第二发光单元的成膜室;在第二发光单元上形成第二电极的成膜室;在设有第二电极的衬底上形成密封膜的成膜室;用于将衬底依次传送到各个成膜室的衬底传送部件。 | ||
搜索关键词: | 照明 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种照明装置的制造装置,包括:真空室;用于使所述真空室处于减压状态的排气系统;以及将衬底传送到所述真空室的传送室,其中,所述真空室包括:在所述衬底上形成第一电极的成膜室;在所述第一电极上形成至少具有发光层的第一发光单元的成膜室;在所述第一发光单元上形成中间层的成膜室;在所述中间层上形成至少具有发光层的第二发光单元的成膜室;在所述第二发光单元上形成第二电极的成膜室;在设有所述第二电极的所述衬底上形成密封膜的成膜室;以及用于将所述衬底依次传送到各成膜室的衬底传送部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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