[发明专利]包含氢卤酸的抑制钯活性的溶液及防止镀层缺陷的方法无效
| 申请号： | 201010148361.2 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102086516A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 权赫辰;南孝昇;金兑浩;金宗植;徐正旭 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18;C23C18/42;C23C18/32;H05K3/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种包含氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液、以及一种通过使用上述溶液来防止坏镀层的方法，上述溶液可以在印刷电路板的无电镀以前使用以防止坏镀层。更具体地说，本发明披露了一种包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液，其可以在印刷电路板的ENIG镀或ENEPIG镀以前使用以防止坏镀层。本发明还披露了一种通过在具有精细图案的印刷电路板的表面处理期间将由镀层扩展引起的图案之间的短路缺陷降低到最小的用于防止坏镀层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 氢卤酸 抑制 活性 溶液 防止 镀层 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液，所述溶液在印刷电路板的化学金属镀中在钯催化剂处理以后和在ENIG(化学镀镍浸金)镀或ENEPIG(化学镀镍钯浸金)镀以前使用，以防止坏镀层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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