[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和使用其的液晶显示面板和电子装置有效
| 申请号： | 201010149400.0 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101853883A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 盐田国弘 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L21/336;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管能够减少多晶硅TFT中的泄漏电流，而不会增加制造过程。形成将形成在用于移动电话的液晶显示面板的玻璃基板上形成的电路区和像素区中的TFT的活性层的源极/漏极区，使得其硼杂质在2.5×1018/cm3到5.5×1018/cm3的范围内，且其杂质活性在1％到7％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 使用 液晶显示 面板 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：形成于基板上的半导体层，所述半导体层包括多晶半导体；形成于所述半导体层上的栅电极，栅极绝缘膜被设置在所述半导体层和所述栅电极之间；以及形成于所述半导体层中的掺杂有杂质的源极/漏极区，所述栅电极被夹在所述源极/漏极区之间，其中，所述源极/漏极区中的杂质浓度设定为在2.5×1018/cm3到5.5×1018/cm3的范围内，而所述源极/漏极区中含有的杂质的活性化率设定在1％到7％的范围内。
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