[发明专利]在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010150564.5 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102219552A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄雁君;郁可;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体长度为5～15μm，顶端为多面体结构，底部为棒状结构，棒状结构具有四个面，并从顶端到底端逐渐变细，10～30个箭状纳米结构底部聚在一起形成一个花束状结构。其制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3箭状纳米结构。本发明具有大面积生长，成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 复合 in sub 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料，其特征在于，包括硅片衬底，和生长在所述衬底表面的In2O3晶体，所述In2O3晶体为箭状纳米结构。
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