[发明专利]一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201010152549.4 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101805201A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨阳;赵宏生;刘中国;张凯红 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于公开了多孔碳化硅陶瓷制备技术领域的一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法。以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅和氧化钇按照质量比范围为100∶(0.5～10)∶(0.1～5)混合，混合粉体再经压力成型、炭化处理及烧结处理后，得到高抗热震性多孔碳化硅陶瓷。本发明降低烧结温度至1200～1800℃，明显增加了陶瓷的热导率，抗热震性提高，800℃热震30次强度损失6.5～30％。所制备的多孔碳化硅陶瓷具有大于80％的高孔隙率，平均孔径在100～300μm且孔径分布均匀的特点。本方法工艺简单，助剂添加量少，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗热 多孔 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体为原料，并在上述原料中加入氧化铝、二氧化硅和氧化钇作为添加剂，经粉体混合、压力成型、炭化处理及烧结四个步骤处理后，得到高抗热震性多孔碳化硅陶瓷，其中，先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅、氧化钇的质量比范围为100∶(0.5～10)∶(0.1～5)∶(0.1～5)。
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