[发明专利]一种LaNi5薄膜的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201010152950.8 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102220560A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈侃松;刘华容;顾豪爽;刘俊峰;谢鲲 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430062 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LaNi5薄膜的制备方法及其在氢敏传感器方面的应用。该方法是先在Si衬底上，制作一层Ni膜为缓冲层，然后通过磁控射频溅射方法在Ni膜上沉积LaNi5薄膜。所述沉积LaNi5的靶材是La靶与扇形Ni片组成的扇形靶，溅射条件是：功率120W-200W，温度350℃-500℃，靶基距3.5cm，气压0.6Pa，时间20min。所制备的LaNi5薄膜是多晶薄膜，表面致密度低，比表面积大，晶粒均匀，适合用作气敏元件。此外，LaNi5有很强的吸氢能力，有利于提高氢敏传感器的响应能力，因此该方法制备的LaNi5薄膜在氢敏传感器方面有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lani sub 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种LaNi5薄膜的制备方法，其特点在于，步骤是首先在Si衬底上制备一层Ni膜，作为缓冲层；然后在缓冲层Ni膜上用磁控射频溅射法制备LaNi5薄膜。
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