[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201010155583.7 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101866919A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周淳朴;陈和祥 | 申请（专利权）人： | 中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L23/522;H01L23/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基板，具有一第一导电性；一耗尽区，位于该半导体基板内；一深阱区，大体为该耗尽区所包覆。该深阱区具有相反于该第一导电性的一第二导电性，且包括直接位于该深阱区上的一第一部与直接位于该深阱区下的一第二部。一传输线直接位于该耗尽区上。本发明的优点包括了对于高频传输线的信号损失降低，特别是射频传输线。此外，本发明可与现今工艺相整合而无须额外工艺步骤或光刻掩模的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一半导体基板，具有一第一导电性；一耗尽区，位于该半导体基板内；一深阱区，大体为该耗尽区所包覆，其中该深阱区具有相反于该第一导电性的一第二导电性，且该耗尽区包括直接位于该深阱区上的一第一部与直接位于该深阱区下的一第二部；以及一传输线，直接位于该耗尽区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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