[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法

摘要

本发明名称为半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，通过对缓冲层进行反溅射处理及氮气氛下的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一氧化物半导体膜；对所述导电膜和所述第一氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成源电极层、漏电极层、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜，所述第二氧化物半导体膜设置在所述源电极层上，并且所述第三氧化物半导体膜设置在所述漏电极层上；对所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜进行反溅射处理；在形成所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜之后在氮气氛中进行第一热处理；在所述栅极绝缘层、所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜上形成第四氧化物半导体膜；对所述第二至第四氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成第一缓冲层、第二缓冲层及氧化物半导体层，所述第一缓冲层由所述第二氧化物半导体膜形成，并且所述第二缓冲层由所述第三氧化物半导体膜形成。