[发明专利]一种多级孔结构介孔二氧化硅材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010160350.6 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN101837981A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 陈铁红;王金桂 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 颜济奎
地址: 30007*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种多级孔结构介孔二氧化硅材料及其制备方法,本发明属于材料科学领域,具体涉及一种介孔二氧化硅材料及其制备方法。本发明公开了一种多级孔结构介孔二氧化硅材料,材料为球形形貌,直径在200nm-800nm;材料具有不同大小的两种介孔:一种是立方介观结构的球形介孔,孔径大小为2.2-3.3nm;另外一种是分布在球形介孔之间的二级纳米孔,孔径大小在20-60nm;比表面积171-734m2g-1,总孔容0.65-1.15cm3g-1;以及制备方法。本发明采用复合模板剂“一锅”法同时获得两种不同孔径大小的多级孔结构,工艺简单,重复性好。
搜索关键词: 一种 多级 结构 二氧化硅 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
-种多级孔结构介孔二氧化硅材料,其特征在于:(1)材料为球形形貌,直径在200nm-800nm;(2)材料具有不同大小的两种介孔:一种是立方介观结构Pm3n的球形介孔,孔径大小为2.2-3.3nm;另外一种是分布在球形介孔之间的二级纳米孔,孔径大小在20-60nm;(3)材料中二级纳米孔穿插在有序介孔之间,同时有序介孔仍然保持着立方有序结构,并且,介观有序性延续到整个颗粒,使整个颗粒类似一个介观结构的单晶体;(4)比表面积171-734m2g-1,总孔容0.65-1.15cm3g-1;(5)产物结构稳定,550-650℃空气中焙烧,材料介观结构稳定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010160350.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top