[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010162562.8 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102237353A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48;H01L21/329;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面，一凹槽，位于该绝缘基板之第一表面，二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面，一发光二极管芯片位于该凹槽并且与该二电极电性连接，该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。本发明发光二极管封装结构将齐纳二极管设置在绝缘基板内，与发光二极管封装构造一体化，可减少物料与人力成本。同时，内置的齐纳二极管由于不需要外部打线与电极层形成电性连接，不仅提高齐纳二极管与电极层的电性连接的稳定性，还可降低发光二极管的封装结构的复杂度。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面；一凹槽，位于该绝缘基板之第一表面；二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面；及一发光二极管芯片位于该凹槽内并且与该二电极电性连接，其特征在于：该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162562.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
