[发明专利]半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件有效
| 申请号： | 201010163890.X | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222609A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;林盈秀 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件。该半导体元件杂质浓度分布控制方法包括以下步骤：提供基板；于该基板上，定义掺杂范围，该掺杂范围具有至少第一区域；以一屏蔽图案部分遮蔽该第一区域；以及将杂质掺杂于该掺杂范围内，使得该第一区域内的杂质连成一体，且具有相较于无任何屏蔽图案而直接掺杂时较低的杂质掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 杂质 浓度 分布 控制 方法 相关 | ||
【主权项】：
一种半导体元件杂质浓度分布控制方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一基板；于该基板上，定义一掺杂范围，该掺杂范围具有至少一第一区域；以一屏蔽图案部分遮蔽该第一区域；以及将杂质掺杂于该掺杂范围内，使得该第一区域内的杂质连成一体，且具有相较于无任何屏蔽图案而直接掺杂时较低的杂质掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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