[发明专利]瞬态抑制器件及其方法

摘要

本发明涉及瞬态抑制器件及其方法。在一个实施方式中，半导体器件提供对电路的保护，该半导体器件一般包括垂直MOS晶体管、参考电路和放大器。该放大器放大参考电压以响应于瞬态事件而启动垂直该MOS晶体管。

主权项

一种瞬态抑制器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上形成的垂直MOS晶体管，所述垂直MOS晶体管具有耦合到所述瞬态抑制器件的第一端子的漏极、耦合到所述瞬态抑制器件的第二端子的源极，并且还具有栅极和阈值电压；在所述半导体基底上形成的电压参考电路，所述电压参考电路耦合在所述瞬态抑制器件的所述第一端子和第二端子之间以接收输入电压，所述电压参考电路具有被配置成响应于所述输入电压增加到大于所述电压参考电路的阈值电压的第一值而形成参考电压的输出，其中所述参考电压具有小于所述垂直MOS晶体管的所述阈值电压的值；以及在所述半导体基底上形成的第一晶体管，所述第一晶体管耦合成接收所述参考电压并响应于所述电压参考电路形成所述参考电压而形成启动所述垂直MOS晶体管的信号，其中当通过所述垂直MOS晶体管的电流从第一值增加到第二值时，所述垂直MOS晶体管相应地将所述瞬态抑制器件的所述第一端子钳制到大于所述第一值的第二值。