[发明专利]采用混合保护层的等离子显示器及混合保护层的制备方法无效
| 申请号： | 201010168542.1 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101826428A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李青;哈姆·托勒;屠彦;张雄;郑姚生;匡文剑 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J9/20 | 分类号： | H01J9/20;H01J17/16;H01J17/49 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 采用混合保护层的等离子显示器及混合保护层的制备方法，涉及应用于等离子显示器中的保护层的技术领域。本发明将30％＜Zn含量＜50％的Mg1-xZnxO晶体作为源一，将0＜Zn含量＜10％的Mg1-xZnxO晶体作为源二，将源一和源二按照一定比例混和构成源三，混和比例控制为，源一占总重量的50～70％，源二占总重量的30～50％。将源三按照使用溶剂重量的5～10％的比例，分散到易挥发的有机溶剂中，经过超声处理使之均匀分散在溶剂中，采用喷雾喷枪，均匀喷洒在已制备好MgO薄膜的表面，待有机溶剂挥发，便形成MgO薄膜表面上的混和保护层。本发明实现了降低统计响应时间，改善二次电子发射特性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 混合 保护层 等离子 显示器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子显示器混合保护层的制备方法，其特征在于包括如下步骤：第一步：混料：将含Zn量为30％～50％的Mg1-xZnxO晶体作为源一(1)，将含Zn量为0～10％的Mg1-xZnxO晶体作为源二(2)，源一(1)和源二(2)的粒径为200nm～2μm，然后将占总重量50～70％的源一(1)和占总重量30～50％的源二(2)混合形成源三(3)；第二步：配液：将第一步混合后的源三(3)按照使用溶剂重量的5～10％的比例，分散到易挥发的有机溶剂中，经过超声处理使之均匀分散在溶剂中，得到喷涂溶液(4)；第三步：喷涂：将上述第二步的喷涂溶液(4)装入喷雾喷枪(5)的料斗内，利用压力产生的雾化，均匀喷洒在已制备好MgO薄膜(6)的表面，待有机溶剂挥发，便形成MgO薄膜(6)表面上的混和保护层(15)。
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