[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法。其包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域；周边区域内设置有超结结构，在周边区域最外侧形成最外PN柱对，邻近元件区域处形成最内PN柱对；最外PN柱对的深度小于周边区域内其余任意PN柱对深度；最外PN柱对的第二柱宽度小于周边区域内其余任意PN柱对的第二柱宽度；在沿由最外PN柱对指向最内PN柱对的方向上，任意一对PN柱对的深度不大于所述PN柱对与最内PN柱对间任意一对PN柱对的深度；任意一对PN柱对相对应第二柱的宽度不大于所述PN柱对与最内PN柱对间的任意一对PN柱对相对应第二柱的宽度。本发明反向耐压特性好、制造简单，制造成本低。

主权项

一种具有超结结构的半导体器件，在所述半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域；所述元件区域位于半导体基板的中心区，周边区域位于元件区域的外围，并环绕所述元件区域；在所述半导体器件的截面上，在第一导电外延层内包括若干对具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱；所述第一柱与第二柱沿着电流流通的方向在半导体基板内延伸；在垂直电流流通的方向，由第一柱与第二柱所述构成的多对PN柱交替连接设置，形成超结结构；所述超结结构存在于元件区域与周边区域；其特征是：在所述半导体器件的截面上，所述周边区域内设置有超结结构，在周边区域最外侧形成最外PN柱对，在所述周边区域对应于邻近元件区域处形成最内PN柱对；所述最外PN柱对远离元件区域，最内PN柱对邻近元件区域；所述最外PN柱对的深度小于周边区域内其余任意PN柱对深度；最外PN柱对的第二柱宽度小于周边区域内其余任意PN柱对的第二柱宽度；在沿由最外PN柱对指向最内PN柱对的方向上，任意一对PN柱对的深度不大于所述PN柱对与最内PN柱对间任意一对PN柱对的深度；任意一对PN柱对相对应第二柱的宽度不大于所述PN柱对与最内PN柱对间的任意一对PN柱对相对应第二柱的宽度；所述第一导电类型层包括第一导电类型衬底与第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层邻接第一导电类型衬底。