[发明专利]应用于超薄晶片背面处理工艺的方法有效
| 申请号： | 201010170724.2 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101850532A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;孙明 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B41/06;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;姜玉芳 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法。完成该方法的装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用，包括具有金属化侧壁的芯片的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 超薄 晶片 背面 处理 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将晶片作半切割；将半切割后的晶片转移到包括环和带的支撑结构上；研磨晶片背面以分离芯片；和处理芯片的背面。
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