[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010171435.4 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101877353A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;新井绅太郎 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L23/528;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具备MOS晶体管，包含：柱状半导体层；第一漏极或源极区域，形成于所述柱状半导体层的底部；栅极电极，隔着第一绝缘膜形成以包围该柱状半导体层的侧壁；外延半导体层，形成于所述柱状半导体层上面上部；及第二源极或漏极区域，至少形成于所述外延半导体层；所述第二源极或漏极区域的上面的面积，较所述柱状半导体层的上面的面积为大。本发明可降低柱状硅层上部的硅化物的细线效应。此外，通过降低硅化物与上部扩散层间的界面电阻，可改善晶体管特性。此外，可实现不会产生接触窗与栅极间的短路的构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具备MOS晶体管，其特征在于，具备：柱状半导体层；第一漏极或源极区域，形成于所述柱状半导体层的底部；栅极电极，隔着第一绝缘膜形成以包围该柱状半导体层的侧壁；外延半导体层，形成于所述柱状半导体层上面上部；及第二源极或漏极区域，至少形成于所述外延半导体层；所述第二源极或漏极区域的上面的面积，较所述柱状半导体层的上面的面积为大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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