[发明专利]多晶硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010172660.X | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101866844A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅刻蚀方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的晶片，所述第一区域形成有第一多晶硅层，所述第二区域形成有第二多晶硅层，其中，第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于非掺杂层上的掺杂层；在第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层；执行第一刻蚀步骤，以去除未被图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；执行第二刻蚀步骤，以去除未被图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层；在所述第一刻蚀步骤中，未被图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除，从而确保形成具有垂直轮廓的栅极，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅刻蚀方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶片，所述第一区域形成有第一多晶硅层，所述第二区域形成有第二多晶硅层，所述第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于所述非掺杂层上的掺杂层；在所述第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层；执行第一刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；执行第二刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层；其特征在于，在所述第一刻蚀步骤中，未被所述图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
