[发明专利]VDMOS器件版图结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010173133.0 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101901804A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;黄益中;罗添耀;陈家生;王磊;康鹏飞;王定宁;张海涛;罗鑫;陈奔;王晓杰;吴建清 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种VDMOS器件版图结构以及制作方法，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。本发明P+区域为全部连接的网络结构的区域，不存在孤立的P+区域，从而使得该版图结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连通的网络结构中。当有器件承受反向能量时，没有孤立的P+二极管，反向能量由网络结构连接的所有P+二极管共同承受，从而大大提高了器件的反向冲击能力，保护器件，使器件不易烧毁损坏，减少器件的损坏率，大大提高了器件的安全性能，避免浪费，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 版图 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，其特征在于，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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