[发明专利]一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法有效
| 申请号： | 201010175815.5 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102244031A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/28;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种接触孔的形成方法，包括：在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区，所述侧墙环绕所述栅极，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙，所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧；形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同；形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；断开所述导电层，以形成至少两个导电体，各所述导电体分别接于所述源区或漏区。一种接触孔，所述接触孔和栅极、侧墙均形成于衬底上并嵌入层间介质层中，所述接触孔的侧面接于所述侧墙。还提供了一种半导体器件及其形成方法。均可减少应用的掩模的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 半导体器件 二者 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区，所述侧墙环绕所述栅极，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙，所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧；形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同；形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；断开所述导电层，以形成至少两个导电体，各所述导电体分别接于所述源区或漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
