[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010175935.5 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101882466A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 金田义宣 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够减少EEPROM的写入时间的非易失性半导体存储装置。当模式切换信号COMB为L电平时，将EEPROM(1)设定成单体模式。此时，分别根据第一端口的控制信号SCL1、SDA1和第二端口的控制信号SCL2、SDA2对第一和第二存储体(21、22)独立地进行存取。当模式切换信号COMB为H电平时，将EEPROM(1)设定成联合模式。此时，第一和第二存储体成为连接在一起的4k比特的存储体，根据第一端口的控制信号(SCL1、SDA1)对其进行存取。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：第一存储体，其包括能够进行电写入和电读取的多个存储器单元；第二存储体，其包括能够进行电写入和电读取的多个存储器单元；第一端口，其串行输入第一控制信号；第二端口，其串行输入第二控制信号；模式切换端子，其输入对第一模式和第二模式进行切换的模式切换信号；和控制电路，其根据输入给所述模式切换端子的模式切换信号，在第一模式中，能够根据输入给所述第一端口的第一控制信号对所述第一存储体进行存取，并且能够根据输入给所述第二端口的第二控制信号对所述第二存储体进行存取，在第二模式中，根据输入给所述第一端口的第一控制信号，能够对所述第一和第二存储体双方进行存取。
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