[发明专利]芯片型双电层电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010176547.9 申请日: 2010-05-10
公开(公告)号: CN102082036A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 李相均;郑昌烈;李圣镐;朴东燮;赵英洙 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G9/155 分类号: H01G9/155;H01G9/016;H01G9/08
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种芯片型双电层电容器及其制造方法,该芯片型双电层电容器包括:外壳,具有设置在外壳中的壳空间并由绝缘树脂形成;掩埋在外壳中的第一外部端子和第二外部端子,第一外部端子和第二外部端子均具有暴露到壳空间的多个第一表面以及暴露到外壳的外部的第二表面;双电层电容器单元,电连接到第一外部端子和第二外部端子的暴露到壳空间的多个第一表面。芯片型双电层电容器可在尺寸和重量上减小而在容量上增加。此外,芯片型双电层电容器允许表面安装而无需任何额外结构并具有低的等效串联电阻(ESR)。
搜索关键词: 芯片 型双电层 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种芯片型双电层电容器,所述芯片型双电层电容器包括:外壳,具有设置在外壳中的壳空间并由绝缘树脂形成;掩埋在外壳中的第一外部端子和第二外部端子,第一外部端子和第二外部端子均具有暴露到壳空间的多个第一表面以及暴露到外壳的外部的第二表面;双电层电容器单元,电连接到第一外部端子和第二外部端子的暴露到壳空间的所述多个第一表面。
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