[发明专利]一种冶金级硅中磷和硼的去除方法有效
| 申请号： | 201010177776.2 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101844768A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;何发林;陈文辉;庞爱锁;罗学涛 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 级硅中磷 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，其特征在于包括以下步骤：1)造渣：(1)将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；(2)对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；(3)将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；2)酸洗：(1)将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；(2)将硅粉用盐酸浸泡；(3)将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；(4)将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
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