[发明专利]半导体制冷器件无效
| 申请号： | 201010180493.3 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102255037A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴荣钢 | 申请（专利权）人： | 上海科伟低压电器厂 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/16;H01L35/34;F25B21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201703 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体制冷器件，包括单晶硅、碲化钕化合层及矾化铊化合层；单晶硅呈薄片状，单晶硅表面设有一层保护层，通过高纯度的碲化钕的化合物及高纯度的矾化铊的化合物分别在单晶硅的两侧进行二次或多次掺杂，形成碲化钕化合层及矾化铊化合层，形成一个PN结。本发明采用高纯度的碲化钕化合物和高纯度的矾化铊化合物对硅片进行二次或多次掺杂，半导体制冷材料的优值系数达到98％以上，制成的半导体制冷器件单片达到几十伏的工作电压和在风冷状态下达到数百瓦的制冷功率，同时可以极大的提高“半导体制冷器件”的可靠性和稳定性，另外，可以将半导体制冷器件的生产合格率提高到了99.9％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体制冷器件，其特征在于，包括：单晶硅(01)、碲化钕化合层(02)及矾化铊化合层(03)；所述的单晶硅(01)呈薄片状，单晶硅(01)表面设有一层保护层，通过高纯度的碲化钕的化合物及高纯度的矾化铊的化合物分别在单晶硅(01)的两侧进行二次或多次掺杂，形成所述的碲化钕化合层(02)及矾化铊化合层(03)，形成一个PN结。
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