[发明专利]陶瓷基板制造方法无效
| 申请号： | 201010181193.7 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254832A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林文新 | 申请（专利权）人： | 禾伸堂企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种陶瓷基板制造方法，其步骤是在陶瓷基板上先贴附干膜层，并对干膜层进行曝光显影而形成预设线路布局的路径，再于陶瓷基板与干膜层上涂布第一金属层，则第一金属层上为镀设铜层，且对陶瓷基板上的干膜层、第一金属层及铜层进行研磨、切割并整平，即可将干膜层由陶瓷基板上移除，而在陶瓷基板上形成适当高度的铜层后，由陶瓷基板的铜层表面进行电镀第二金属层，即完成陶瓷基板的制造，不需经由蚀刻工艺作业，即不会产生废弃蚀刻液，避免造成对人体伤害及环境污染，依此制造的陶瓷基板线路，不管金属层多厚，所生产出来的线路皆无梯度，且形成的线路上底及下底尺寸接近一样，可制作业界高精密度的陶瓷基板。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷基板制造方法，指可通过电镀、切割等加工工艺进行制造陶瓷基板的方法，其步骤为：(a)陶瓷基板上贴附干膜层；(b)对干膜层进行曝光显影，而于干膜层上形成预设路径；(c)再于陶瓷基板与干膜层上涂布第一金属层；(e)第一金属层上镀铜层；(f)对陶瓷基板上的干膜层、第一金属层及铜层进行切割、研磨，并将干膜层由陶瓷基板上移除；(g)陶瓷基板上形成适当高度的铜层；(h)陶瓷基板的铜层表面予以电镀第二金属层，即完成陶瓷基板的制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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