[发明专利]一种高频电路辐射电磁干扰分析方法

摘要

本发明公开了一种高频电路辐射电磁干扰的分析方法。两个同型号的近场电场探头或近场磁场探头，分别接数字双踪示波器的两个输入端；将上述两个近场探头置于不同位置对高频电路进行测量；对上述示波器得到的时域信号进行盲信号分析，根据信号分析结果可区分出高频电路中的单个辐射源。分别将近场电场探头和近场磁场探头连接频谱分析仪输入端，测量上述单个辐射源的近场电场和近场磁场大小，比较近场电场和近场磁场的大小可得每个辐射源的电磁干扰是由共模辐射引起，还是由差模辐射引起。该方法省时、简便、实用，同时可以为高频电路辐射EMI抑制提供指导。

主权项

一种高频电路辐射电磁干扰的分析方法，其特征在于对辐射EMI复合场中的单个辐射源进行重构，采用的仪器为数字双踪示波器和两套近场电磁场探头，具体步骤如下：第一步：将第一近场探头(1)和第二近场探头(2)与双踪示波器的第一通道和第二通道分别相连，其中第一近场探头(1)和第二近场探头(2)型号相同，且两个同为近场电场探头或者同为近场磁场探头；第二步：将第一近场探头(1)和第二近场探头(2)分别放置在高频电路附近进行n次测量，并从双踪示波器中获得高频电路辐射EMI时域信号；其中，测量次数n与待测高频电路中辐射电磁干扰源个数有关，对于高频电路，n＝4或n＝5，并且每次测量时上述两探头与电路平面之间的距离相等，此外，任意两次测量时两探头所处的位置不能完全相同，同时需要将相关度较差的处理结果舍去；第三步：将第二步获得的高频电路辐射EMI时域信号利用盲信号分析方法进行处理将上述待测高频电路中辐射EMI时域信号分离为单独的共模辐射信号和差模辐射信号，从而对形成辐射EMI复合场的每个独立电磁辐射源进行重构，进一步得到各个独立电磁辐射干扰源情况。