[发明专利]制作半导体器件栅极的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件栅极的方法，包括：a)在前端器件层上依次形成第一栅氧化物层、栅极材料层、第二栅氧化物层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、抗反射涂层和具有图案的光刻胶层；b)对抗反射涂层进行刻蚀；c)对第二硬掩膜层进行刻蚀；d)对第一硬掩膜层进行刻蚀；和e)以第一硬掩膜层为掩膜依次刻蚀第二栅氧化物层、栅极材料层和第一栅氧化物层，去除第一硬掩膜层，形成栅极，其中，还包括通入刻蚀气体对待修整层进行修整的步骤。本发明的方法能提高器件性能、可靠性和良品率。

主权项

一种制作半导体器件栅极的方法，包括步骤：a)在前端器件层上依次形成第一栅氧化物层、栅极材料层、第二栅氧化物层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、抗反射涂层和具有图案的光刻胶层；b)对所述抗反射涂层进行刻蚀；c)对所述第二硬掩膜层进行刻蚀；d)对所述第一硬掩膜层进行刻蚀；和e)以所述第一硬掩膜层为掩膜依次刻蚀所述第二栅氧化物层、所述栅极材料层和所述第一栅氧化物层，去除所述第一硬掩膜层，形成栅极，其中，还包括以下步骤：在步骤a和步骤b之间，通入第一刻蚀气体对所述具有图案的光刻胶层进行修整；或者在步骤c与步骤d之间，通入第二刻蚀气体对所述第二硬掩膜层、所述抗反射涂层和所述具有图案的光刻胶层进行修整。