[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010182903.8 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254856A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 孙武;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造用于互连工艺中的半导体器件的方法，包括如下步骤：在前端器件层上形成通孔停止层；在该通孔停止层上形成介电层；在该介电层上形成钝化层；利用等离子体方法，对该钝化层、该介电层进行蚀刻以在该介电层中形成沟槽；其特征在于，在刻蚀形成该沟槽时采用的气体为CH2F2、CH3F和CO2的混合气体。本发明还公开了利用上述方法制造的半导体器件。利用本发明的制造用于互连工艺中的半导体器件的方法，增加了所形成的沟槽底部中间的厚度，避免了尖刺现象的产生，获得了性能更加优异的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 工艺 中的 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于互连工艺中的半导体器件的方法，包括如下步骤：在前端器件层上形成通孔停止层；在所述通孔停止层上形成介电层；在所述介电层上形成钝化层；利用等离子体方法，对所述钝化层和所述介电层进行刻蚀，以在所述介电层中形成沟槽；其特征在于，在刻蚀形成所述沟槽时采用的气体为CH2F2、CH3F和CO2的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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