[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法无效
| 申请号： | 201010184374.5 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102254573A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34;G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。降低非挥发性记忆体中第二位元效应的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的N阶记忆胞(其中N为大于2的正整数)。该方法包括下列步骤：根据第二储存位置的位准，决定操作第一储存位置的操作位准组。当第二储存位置的位准为较低位准时，根据第一操作位准组操作第一储存位置。当第二储存位置的位准为较高位准时，根据第二操作位准组操作第一储存位置。第二操作位准组中各操作位准大于第一操作位准组中相对应的各操作位准。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的N阶记忆胞，其中N为大于2的正整数，其特征在于该操作方法包括：根据该第二储存位置的一位准，决定操作该第一储存位置的一操作位准组；当该第二储存位置的该位准为较低位准时，根据一第一操作位准组操作该第一储存位置；以及当该第二储存位置的该位准为较高位准时，根据一第二操作位准组操作该第一储存位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010184374.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
