[发明专利]器件加工方法有效
| 申请号： | 201010185045.2 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101890579A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司;武田昇;松本浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;吕俊刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种器件加工方法，其能够提高器件的抗弯强度。该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种器件加工方法，该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010185045.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体集成电路装置
- 下一篇：一种聚光透镜及使用该聚光透镜的灯具
